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[科技] ASML拟推出Hyper-NA EUV光刻机,芯片密度限制再缩小

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发表于 2024-6-26 00:08:36 | 显示全部楼层 |阅读模式

大半导体产业网 SEMI 2024-06-18 17:21 上海
日前,ASML前总裁兼首席技术官、现任公司顾问Martin van den Brink在imec ITF World的演讲中表示:“从长远来看,我们需要改进光刻系统,因此必须要升级 Hyper-NA。与此同时,我们必须将所有系统的生产率提高到每小时400-500片晶圆”。同时透露,ASML将在2030年左右提供Hyper-NA,达到0.75NA,以便实现更高分辨率的图案化及更小的晶体管特征。

QQ截图20240626000749.png

Imec高级图案设计项目总监Kurt Ronse表示,这是ASML首次将Hyper-NA EUV加入其技术路线图。现阶段想要突破0.55NA,需要解决光偏振和光刻胶的挑战。Ronse 还指出,目前的High-NA应该会持续贯穿从2nm到1.4nm、10埃米甚至7埃米的工艺节点,此后,Hyper-NA 将开始占据主导地位。

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